ITO（IndiumTinOxide）导电膜是指采用磁控溅射的方法在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡（ITO）导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。由于其低电阻率、高可见光透射率、与玻璃基体结合牢固、抗擦伤,良好的化学稳定性等优点,得到了越来越广泛的应用。
金属特性
金属导电的原因：金属键之键结力不强，电子受到外加电位即可自由运动，形成电子流。
金属不透明的原因：光波被高密度之电子吸收与反射。
氧化物特性
氧化物绝缘的原因：氧化物为金属与氧气反应形成共价键，键结中无自由电子，因此不导电。
氧化物透明的原因：原子键结的空隙中无自由电子，故光波可穿透氧化物结构。
透明导电氧化物
氧化物结构中含有氧原子之缺陷，使自由电子可在这些缺陷中运动，因此可以导电，但由於自由电子之密度不高，因此导电率不如金属。
由於自由电子之密度不高，因此可以透光，但透光率不如致密氧化物。
透光率与导电率之关系
ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率与导电镀率约成反比之关系；例如，当镀膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光率可达80%,但若透光率欲达到90%以上，则面电阻必须提高至100Ω/sq以上。
近年来，ITO导电膜被广泛应用在LCD屏幕和触控面板，ITO导电膜还被用作飞机座舱玻璃散射雷达波的隐身涂层,将雷达波散射到非有效空间方向,从而缩减了飞机座舱的雷达散射截面RCS.此外，在液晶显示、气体放电、电致发光器件以及太阳能电池、建筑玻璃等方面,ITO导电膜也得到了应用。
用直流反应磁控溅射法在无机玻璃上镀制ITO膜。溅射时基片不加热,溅射后进行空气退火和真空退火。采用由JS-450型改造而成的溅射设备,溅射室内水平安装直径为300mm的圆形平面磁控溅射靶阴极（在上方）和放置基片的可旋转试样台（在下方）.靶阴极与d1c高压电源的负极相联,试样台与正极相联并接地。In-Sn合金靶由高纯In（991999%In）和高纯Sn（991999%Sn）制成,成分为92%In（wt）+8%Sn（wt）,靶片直径280mm.由于制备的试样尺寸较小,通过屏蔽的方法只允许直径170mm的靶面工作。
用5mm厚的K9玻璃作基片,尺寸为30mm×30mm2和10mm×2218mm2两种。高纯Ar作放电气体,高纯O2作为反应气体,用ZZK-1型压强自动控制仪控制气体总压强,用D07型质量流量计控制O2浓度。溅射室总压强为110Pa,O2浓度变化范围9.5%~12.5%,溅射功率85W,溅射时间根据对膜的厚度要求而定。通过辉光放电,使部分Ar原子电离,还有较高功能的Ar离子将In-Sn合金靶表面的原子溅射下来。被溅射下来的In、Sn原子和处于激发状态的氧离子发生反应,生成In-Sn氧化物膜,即ITO膜。本实验由于基片不加热,沉积速率高,氧化反应不充分,生成的膜中含有黑色低价氧化物InO和SnO.这时ITO膜的透明性和导电性均不佳,必须进行镀后退火,使其转化成透明性和导电性都很好的高价氧化物In2O3-SnO2.
反应溅射后分别在空气中和真空中进行退火。退火温度450~500℃，保温时间1~115h.