MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步DC/DC转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达114V的电压条件下运行。
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●自举电源电压至114V
●1.4A峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A峰值底端栅极上拉电流
●耐热增强型8引脚MSOP封装
●宽VCC电压：4.5V至13.5V
●1.5Ω顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns顶端栅极下降时间驱动1nF负载
●8ns顶端栅极上升时间驱动1nF负载
●3ns底端栅极下降时间驱动1nF负载
●6ns底端栅极上升时间驱动1nF负载
●可驱动高压侧和低压侧N沟道MOSFET
MOSFET驱动器的功耗包含三部分：
1.由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是的，特别在很低的开关频率时。
2.由于MOSFET驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3.MOSFET驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。
由于MOSFET驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
●分布式电源架构
●汽车电源
●高密度电源模块
●电信系统