闪速EEPROM是在EEPROM基础上研制出来的存储器，较好的克服了EEPROM编程时间过长的缺点，其容量大，编程速度快，在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；获得了广泛的应用。
EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的FlashMemory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（SmallSectorFlashMemory）和ATMEL的海量存储器（Data-FlashMemory）。
以28F040为例，主要有如下几种工作类型：
①读出类型。它包括从28F040中读出某个单元的数据，读出芯片内部状态寄存器中的内容，读出芯片内部的厂家标记和器件标记这三种情况。
②写入编程类型。它包括对28F040进行编程写入及对其内部各32KB块的软件保护。
③擦除类型。它包括对整片一次擦除或只擦除片内某些块以及在擦除过程中使擦除挂起和恢复擦除。
闪速EEPROM器件具有EEPROM与NOR技术FlashMemory二者折衷的性能特点：
（1）读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术FlashMemory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。
（2）与EEPROM比较，具有明显的成本优势。
（3）存储密度比EEPROM大，但比NOR技术FlashMemory小，如SmallSectorFlashMemory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlashMemory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
(1)用作外存储器。由于闪速EEPROM的集成度已经做得很高，因此利用它构成存储卡已十分普遍。就以上述的28F040为例，利用4片这样的芯片构成2MB存储卡，完全可以替代软磁盘，而且目前除价格稍高外，其他各方面都优于软磁盘。
目前已有许多厂家提供各种容量的存储卡(包括数字相机中的存储卡、U盘等)，而且其接口总线也有标准，例如USB、PCMCIA及下面将要提到的接口。
(2)用作内存。闪速EEPROM用作内存时，可用来存放程序或存放要求写入时间不受限制或不频繁改变的数据。