RFID高频接口技术采用的一项新的RFID芯片技术，不同于常规RFID芯片，此RFID没有采用传统EEPROM存储器，而是应用了彭泽忠博士发明的存储器技术-XPMTM（超级性存储器）技术。XPMTM，即SuperPermanentMemory（超级性存储器）。我们起名为X-RFID,X-RFID具有高安全、低价、可靠性高和容量大等特点，可广泛应用于图书管理、证件防伪，景点会议门票，产品防伪，电子钱包，资产管理，单品管理，物流和供应链管理等众多领域。
不同的国家和地区的对频率的分配和发射功率的规定是不同的。在某些地区，某些频段的RFID产品可能是被禁止使用的。其中13.56MHz的RFID国际标准有ISO14443和ISO15693两种。
ISO14443又分为TypeA和TypeB两中。其中TypeA以飞利浦的Mifareone为代表,TypeB有代表性的是目前我国正在发行的*。ISO14443是近耦合通讯协议，通讯距离小于10cm.ISO15693是疏耦合通讯协议，通讯距离可以达到1.5m.
在ISO15693协议中，为了从阅读器到疏耦合IC卡的数据传输，不仅使用了10%的ASK调制，而且还使用了100%的ASK.此外，有两种不同的编码方法：一是“256中取1”，另一种是“4中取1”。
这部分电路通过Cadencespectre仿真环境进行了仿真，并通过SMICCMOS0.18umoneplayfourmetal工艺流片验证。
由于读卡机发出的磁场强度跟与读卡机的远近距离有关，在离读卡机距离近的地方磁场强度大，离读卡机距离远的地方磁场强度少，当RFID标签芯片离读卡机距离很近时，由于磁场强度很大，RFID标签芯片天线两端耦合过来的电压值很高，如果不进行高压保护的话，会对RFID标签芯片内部电路造成损坏，所以高压保护电路必不可少。读卡机和RFID标签之间的通讯是采用半双工的模式,读卡机发出的指令通过ASK调制叠加到载波上发送给RFID标签芯片，RFID标签芯片通过自己内部的解调电路把指令解调出来送到数字逻辑控制电路进行译码，然后处理相应的指令。RFID标签芯片的数据的返回通过自己内部的调制电路把数据叠加到读卡器发出的载波上发送给读卡机，读卡机通过自己内波的解调电路把数据解调出来。这样读卡器和RFID标签完成互相通信。
两个反相器电路组成了锁存器电路.信号相位相反的13.56MHz的正弦信号通过天线端coil1和coil2加到NMOS管M7和M8上,当coil1为高电平信号时,coil2就为低电平信号,这时NMOS管M7导通,M8截止.当coil1为低电平时,coil2就变为高电平,这是NMOS晶体管M7截止,M8导通.通过这种交替控制,时钟产生电路产生了13.56MHz的方波时钟信号。
在RFID标签芯片中，需要有一个较大的电容储存足够的电荷供标签在输入能量较弱的时候当作电源来使用。如果输入电压过高，电源电压升高到一定程度，稳压电路中泻流电路就要起作用，把电容上多余的电荷释放掉，以达到稳压的目的。稳压电路采用5个PNP三极管，这种稳压电路做到了采用最少的器件达到稳压的效果。由于PNP的Vbe电压在0.7v左右，所以5个三极管的稳压在3.5v左右。当电压超过3.5v后，电流会功过PNP的发射极到集电极的通路把电荷释放掉。很好的起到限压的效果。