方块电阻又称薄层电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，单位为欧姆每方。简单来说，方块电阻（SheetResistance）就是指导电材料单位厚度单位面积上的电阻值。简称方阻，理想情况下它等于该材料的电阻率除以厚度。
假设电流流经一个二维方块，定义等长宽的一个横面微元，电流流经方向上的偏压与电流大小（载流子N和所带电荷大小Q的函数）比值就是方块电阻，方块电阻对厚度积分可以得到电阻率，方块电阻只与材质有关。广义上将其抽象为一个静电场的半球，对电场半径求得微元电阻的大小也叫方块电阻。
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1m还是0.1m，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度和电阻率有关。方块电阻计算公式：R=ρL/S，ρ为物质的电阻率，单位为欧姆米(Ω.m)，L为长度，单位为米(m)，S为截面积，单位为平方米（m2），长宽相等时，R=ρ/h，h为薄膜厚度。材料的方阻越大，器件的本征电阻越大，从而损耗越大。
用于离子注入或导电薄膜的工艺监控，主要关心方块电阻值与均匀性，离子注入方块电阻反映剂量，导电薄膜方块电阻反映厚度，方块电阻是电路设计人员和工艺操作人员的一个接口。电路设计人员可以根据工艺库把实际的电阻值转换成方块电阻，而工艺操作人员可以根据方块电阻确定实际的电阻值。对于薄膜:厚度越大,电阻越小.厚度越小,电阻越大。
1、探头法测试原理图
下图是电流平行经过ITO膜层的情形，其中：d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向的膜层长度，L2为在垂直于电流方上的膜层长度。
当电流流过如图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为
式中，ρ为导电膜的电阻率，对于给定的膜层，ρ和d可以看成是定值。L1=L2时，即为正方形的膜层，其电阻值均为定值ρ/d。这就是方块电阻的定义，即
式中，R□的单位为：欧姆/□(Ω/□)；ρ的单位为欧姆(Ω)；d的单位为米(m)。由此可以看出方块电阻的特点：对于给定膜层，其阻值丌随所采用正方形的大小变化，仅不薄膜材料的厚度有关。
2、影响探头法测试方阻精度的因素：
（1）要求探头边缘到材料边缘的距离大大于探针间距，一般要求10倍以上。
（2）要求探针头之间的距离相等，否则就要产生等比例测试误差。
（3）理论上讲探针头与导电薄膜接触的点越小越好。但实际应用时，因针状电极容易破坏被测试的导电薄膜材料，所以一般采用圆形探针头。