瓷介电容是一种主体为标准独石结构的电容器，在高频和低频电路中都可适用。引出端用可焊接的金属或合金制成，高频与非高频瓷介电容有明显的标志区别。
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定，瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序
a原材料的配料与混合
b介质片的制造
c叠片和印制电极
d层压和切块
e芯片烧结
f端电极涂镀
g包装
CT1型圆形瓷片低频电容
环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472（+-10%）472-403（+80---20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%大气压力750+-30mmhg
允许偏差：5p(+-0.5p)6-10p(+-1P)10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P+120(+-60)PPM4—56P–47(+-60)PPM
56—180P–750(+-250)PPM
180—390P–1300(+-250)PPM
430—820P–3300(+-500)PPM
CT01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm
允差：+80-20%容量：1000-47000p
工作电压：63v试验电压：200v