雪崩光电二极管是在一定反向偏置电压作用下，由于载流子倍增初始光电流在其内部能获得放大的光电二极管。雪崩光电二极管的优点是灵敏度明显高于普通的光电二极管。
由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区，形成自身保护（具有很强的抗击穿功能），因此，PIN型雪崩光电二极管不必设置保护环。
雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件。它利用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的雪崩效应获得光电流的增益。
电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数M定义为：
M=I/I0
式中，I为倍增输出的电流，I0为倍增前输出的电流。