普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。是PNPN四层半导体结构，普通晶闸管它有三个极：阳极，阴极和门极;晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。
普通晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成普通晶闸管的主电路，普通晶闸管的门极G和阴极K与控制普通晶闸管的装置连接，组成普通晶闸管的控制电路。
普通晶闸管的工作条件：
1.普通晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，普通晶闸管都处于关断状态。
2.普通晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下普通晶闸管才导通。
3.普通晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，普通晶闸管保持导通，即普通晶闸管导通后，门极失去作用。
4.普通晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，普通晶闸管关断。
1.UDRM：断态重复峰值电压
晶闸管耐压值。普通晶闸管UDRM为100V---3000V
2.URRM：反向重复峰值电压
控制极断路时，可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。普通晶闸管一般取URRM为100V--3000V）
3.ITAV：通态平均电流
环境温度为40。C时,在电阻性负载、单相工频正弦半波、导电角不小于170o的电路中，晶闸管允许的通态平均电流。普通晶闸管ITAV为1A---1000A。）
4.UTAV：通态平均电压
管压降。在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、阴两极间的电压平均值。一般为1V左右。
5.IH：最小维持电流
在室温下，控制极开路、晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。一般为几十到一百多毫安。
6.UG、IG：控制极触发电压和电流
在室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。一般UG为1~5V，IG为几十到几百毫安。
普通晶闸管的主要缺点：过流、过压能力很差。普通晶闸管的热容量很小：一旦过流，温度急剧上升，器件被烧坏。
普通晶闸管承受过电压的能力极差：电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。正向电压超过转折电压时，会产生误导通，导通后的电流较大，使器件受损。
一、过流保护措施
快速熔断器：电路中加快速熔断器。
过流继电器：在输出端串接直流过电流继电器
过流截止电路：利用电流反馈减小普通晶闸管的导通角或停止触发，从而切断过流电路。
二、过压保护
阻容吸收：利用电容吸收过压。即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后由电阻消耗掉。
硒整流堆：硒堆为非线性元件，过压后迅速击穿，其电阻减小，抑制过压冲击。高电压过后，硒堆可恢复到击穿前的状态。