陶瓷基片，又称陶瓷基板，是以电子陶瓷为基的，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。
陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。
按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。
陶瓷基片是一种常用的电子封装基片材料，与塑封料和金属基片相比，其优势在于以下几个方面：
1)绝缘性能好，可靠性高。高电阻率是电子元件对基片的最基本要求，一般而言，基片电阻越大，封装可靠性越高，陶瓷材料一般都是共价键型化合物，其绝缘性能较好。
2)介电系数较小，高频特性好。陶瓷材料的介电常数和介电损耗较低，可以减少信号延迟时间，提高传输速度。
3)热膨胀系数小，热失配率低。共价键型化合物一般都具有高熔点特性，熔点越高，热膨胀系数越小，故陶瓷材料的热膨胀系数一般较小。
4)热导率高。根据传统的传热理论，立方晶系的BeO、SiC和AlN等陶瓷材料，其理论热导率不亚于金属的。
因此，陶瓷基片材料被广泛应用于航空、航天和军事工程的高可靠、高频、耐高温、强气密性的产品封装。陶瓷基片材料的封装一般为多层陶瓷基片封装，该技术源于1961年PARK发明的流延工艺，后来被广泛地用于混合集成电路(HIC)和多芯片模件(MCM)陶瓷封装。
从20世纪60年代至今，美国、日本等发达国家相继推出叠片多层陶瓷基片封装材料和工艺，陶瓷基片已经成为世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一，而且日本是世界上的陶瓷基片生产国，约占全球50[%]。目前，研究应用最成熟的陶瓷基片材料是Al2O3基片，它具有良好的电气性能和力学性能。除了Al2O3之外，还有A1N、BeO、Si3N4和SiC等。
随着微电子技术的进步，微加工工艺的特征线宽已达亚微米级，一块基板上可以集成106～109个以上元件，电路工作的速度越来越快、频率越来越高，这对基板材料的性能提出了更高的要求。作为混合集成电路（HIC）和多芯片组件（MCM）的关键材料之一，基板占其总成本的60％左右。陶瓷基板发展的总方向是低介电常数、高热导率和低成本化。
目前，实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫来石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC热导率很高（³250W/m.K），但BeO因具有毒性，应用范围小，故产量低；SiC因体积电阻较小（<1013W·cm）、介电常数较大（40）、介电损耗较高（50），不利于信号的传输，且成型工艺复杂、设备昂贵，故应用范围也很小；AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率（理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k）、较低的介电常数（8.8）和介电损耗（～4×104）、以及和硅相配比的热膨胀系数（4.4×10－4/℃）等优点，但由于成本居高，一直没能大规模应用；Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高（20W/m.K），但因其生产工艺相对简单，成本较低，价格便宜，成为目前最广泛应用的陶瓷基片。