整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形哪图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
图1整流二极管外形
(a)金属封装;(b)塑料封装
①额定整流电流IF:在规定的使用条件下，在电阻性负载的正弦半波整流电路中，允许连续通过半导体二极管的工作电流。一些大电流整流二极管要求使用散热片，它的，F指的是带有规定散热片的条件下的数值。
②正向电压降vF:半导体整流二极管通过额定工向整流电流时，在极间产生的电压降。
③反向工作电压vR:指在使用时所允许加的反向电压。由于整流二极管一旦反向击穿，就会产生很大的反向电流，因此在使用中不允许超过此值。
④反向漏电流IR:半导体整流二极管在正弦波反同工作电压下的漏电流。
⑤击穿电压VR:半导体整流二极管反问为硬特性时，击穿电压为反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值;如果为软特性时，则击穿电压为给定的反向漏电流下的电压值。
⑥结温TJM:半导体整流二极管在规定的使用条件下，所允许的温度。
整流二极管一般为平面型硅二极管，用政协委员种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择整流电流和反向工作电流符合要求的整流二极管即可。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
1)对于串联型电源电路整流二极管，应选择整流二极管整流，电流与反向工作电压适合条件二极管。
2)对于开关型稳压电路用整流二极管应选择使用工作频率较高，且反向恢复时司短快恢复型整流二极管。而不能使用一般整流二极管。可选择使用fr一系列，pfr一系列，mur一系列快恢复二极管。
3)对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。
4)对于5a对下整流电路可选择使用一般整流二极管。例如应用半桥，全桥整流电路，收录机电源电路对及普通低电压整流电路等，可选择使用1n4000，1n5200一系列硅塑封整流二极管。也可选择使用2cz一系列整流二极管。
5)整流二极管代换原则:
①可选择使用型号参数及原二极管型号参数基本相同二极管代换。
②整流电流大二极管可代换整流电流小二极管，相反则不能代换。
③反向工作电压高二极管可代换反向电压低二极管，相反则不可能代换。
④工作频率高二极管可代换工作频率低二极管，则不能代换。